半导体

首页小说推荐实时讯息百科知识范文大全经典语录

您的位置：首页 > 半导体 >

龙腾半导体申请具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法专利，可提升功率芯片性能和可靠性

龙腾半导体申请具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法专利，可提升功率芯片性能和可靠性

实时讯息 2025-04-02 18:23:00

华夏半导体龙头混合发起式A净值下跌6.49%

华夏半导体龙头混合发起式A净值下跌6.49%

实时讯息 2025-04-08 06:20:00

光谷6家中试平台入选国家重点培育名单

光谷6家中试平台入选国家重点培育名单

实时讯息 2025-05-26 15:20:00

无锡旷通半导体取得多层外延的超结MOSEFT器件专利进一步的降低导通电阻

无锡旷通半导体取得多层外延的超结MOSEFT器件专利进一步的降低导通电阻

实时讯息 2025-08-08 16:23:00

台积电获美国芯片关税豁免？介文汲：暂时假象！

台积电获美国芯片关税豁免？介文汲：暂时假象！

实时讯息 2025-08-09 00:16:00