金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司取得一项名为“多层外延的超结MOSEFT器件”的专利，授权公告号CN223207452U，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种多层外延的超结MOSEFT器件，其包括第一导电类型衬底，第一导电类型外延层设置在第一导电类型衬底的正面，第一导电类型外延层包括多层堆叠的子外延层；第二导电类型体区设置在第一导电类型外延层的正面且位于第一导电类型外延层内；第二导电类型柱至少设置有两个，第二导电类型柱从靠近第一导电类型衬底的子外延层内延伸至第二导电类型体区内；第一导电类型源区设置在第二导电类型体区的正面且位于第二导电类型体区内；其中沟槽栅结构包括开设在第一导电类型外延层正面的第一沟槽，第一沟槽内设置有至少两个栅极，两个栅极之间设置有屏蔽栅。
天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自金融界
